苏州防静电包装管厂家看消息得知，俄 国自主研发出了EUV光刻机，这一里程碑式的成就或将撼动A S M L在光刻技术领域的霸主地位，为全球半导体行业注入一股新的变革力量。俄 国科研团队凭借坚韧不拔的毅力和非凡的创新能力，成功攻克了技术壁垒，自主研发出这款EUV光刻机。与A S M L采用的标准13.5nm波长不同，俄 国的光刻机采用了波长为11.2nm的镭射光源。因此，这一新技术无法直接兼容现有的EUV基础设施，要求俄 国须独自构建一套全新的曝光生态系统。俄 国之所以能在EUV光刻机领域取得如此成就，关键在于其掌握了该技术的三大核心——光源、投影物镜和工件台。其中，光源技术的突破是十分大的难点，而俄 国在此方面拥有深厚底蕴。回溯至上世纪70年代，苏联便已经涉足EUV照相光刻技术，甚至在荷兰A S M L研发EUV光刻机的过程中，也借鉴了俄 国的技术。例如，A S M L早期研究的光源理论便源自俄 国科学院，同时俄 国还向其供应了大量关键的光学元件。苏联解体后，俄 国的科研人员依旧坚守在这一领域，持续耕耘，为EUV光刻机的关键技术突破作出了不可磨灭的贡献。值得一提的是，俄 国的圣光机更是国际光源领域的佼佼者之一。

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